ميدار.نت - موسكو

غداً الثلاثاء، ستكون الأرض على موعد جديد مع عاصفة مغناطيسية، بحسب ما توقع خبراء مختبر علم الفلك الشمسي التابع لمعهد بحوث الفضاء ومعهد الفيزياء الشمسية الأرضية التابع لأكاديمية العلوم الروسية.

وكشفت توقعات الخبراء أن ذروة العاصفة المغناطيسية ستكون في الساعة السادسة صباح يوم الثلاثاء 23 يناير وفي الساعة 12 ظهرا من نفس اليوم، ولكنها ستكون ضعيفة من مستوى G1 (أعلى مستوى هو G5)، ومع ذلك يمكن أن تؤثر في الحالة الصحية للأشخاص الذين يتحسسون من تغرات الطقس.

وكان خبراء المختبر أعلنوا في وقت سابق، أن أقوى توهج في الدورة الشمسية الحالية حدث في ليلة 1 يناير 2024 ( X5.0 درجة، وهو يعادل تقريبا ضعف درجة التوهج X2.8 الذي حدث يوم 14 ديسمبر عام 2023 والذي كان حتى ليلة الأول من يناير 2024 الأقوى.

كما أن أقوى توهج للشمس (X8.2) سجل يوم 10 سبتمبر عام 2017.

العاصفة المغناطيسية

تنشأ "العواصف المغناطيسية" بسبب تأثير الرياح الشمسية على المجال المغناطيسي للأرض،  إذ يحيط بكوكب الأرض غلاف غير مرئي يعرف بـ"الغلاف المغناطيسي"، مهمته حماية كوكبنا من الإشعاع الشمسي.

وتكون قوة ضغط الرياح الشمسية وضغط الغلاف المغناطيسي للأرض عادة متساويين، لكن هذا التوازن قد يختل عندما تزداد سرعة الرياح الشمسية، حيث تعتمد كثافة وسرعة هذه الرياح على نشاط البقع الشمسية، الأمر الذي يؤدي إلى تقلص حجم الغلاف المغناطيسي، وبالتالي يتغير حجم وكمية الأشعة التي تخترقه.

هذا التفاعل بين الرياح الشمسية والغلاف المغناطيسي للأرض هو ما يعرف بـ"العاصفة المغناطيسية"، وهي طبعاً ليست بالحدث الاستثنائي أو الجديد فهي موجودة منذ القدم.

أحد الأسباب الأكثر شيوعا للعواصف المغناطيسية هي التوهجات الشمسية على سطح الشمس، والتي تطلق كميات كبيرة من الطاقة والجسيمات المشحونة.

أما السبب الثاني، فيعرف بـ"الانبعاث الإكليلي"، وهي انبعاثات من الهالة الشمسية، أو بشكل أدق، من مناطق ذات درجات حرارة منخفضة، لتنطلق كميات هائلة من المواد والمجالات المغناطيسية والإشعاع الكهرومغناطيسي في الفضاء فوق سطح الشمس، حيث يتم طرح بلازما تتكون من البروتونات والإلكترونات، الأمر الذي يؤدي لإحداث اضطرابات في المجال المغناطيسي وهو ما يؤثر على كوكبنا.

وتقدر العواصف المعتدلة من 50 إلى 100 نانو تسلا، والعواصف الشديدة من 100 إلى 200 نانو تسلا، والعواصف الأشد، بأكثر من 200 نانو تسلا، في الحالة العادية، يتراوح المقياس من 20 إلى 20 نانو تي.

&nb